全反射X射線熒光(TXRF)對碳化矽等難溶樣品檢測的優點

常見難溶樣品如：碳化硼、碳化矽、氮化硼在磨料、特種刀具、核工業等領域有廣泛的應用。其雜質元素檢測通常采用ICP-OES、GD-MS、DCA、ICP-MS等設備，部分標準如下：

GB/T 3045-2017 普通磨料 碳化矽化學分析方法  濕法消解ICP-OES

GB/T 34003-2017 氮化硼中雜質元素測定方法  微波消解ICP-OES

ASTM C791 核級碳化硼的化學、質譜及光譜分析標準方法  高壓消解/堿熔ICP-OES/MS法

JB/T 7993-2012 碳化硼化學分析方法 消解後分光光度法

Ø  常規方法所麵臨的難點

ICP-OES及ICP-MS需要濕法消解或微波消解，帶來如下問題：樣品稀釋、定容後，因稀釋造成檢出限變差、費時、大量化學試劑、潛在汙染風險；

GDMS及DCA設備價格高，操作複雜。

Ø  使用TXRF檢測的優點

采用懸濁法、加入內標後直接上機檢測；

大幅縮短前處理時間，僅需幹燥、混勻等操作；

無需使用大量化學試劑；

簡化檢測流程：采用內標法定量，無需繪製標準曲線；

在線富集可進一步提升檢出限。

Ø  TXRF的檢測流程